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SI7818DN-T1-E3  与  BSZ440N10NS3 G  区别

型号 SI7818DN-T1-E3 BSZ440N10NS3 G
唯样编号 A-SI7818DN-T1-E3 A-BSZ440N10NS3 G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 135 mOhms @ 3.4A,10V 44mΩ@12A,10V
上升时间 - 1.8ns
Qg-栅极电荷 - 9.1nC
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 18A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 3.3mm
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
下降时间 - 2ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 640pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 12µA
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 150V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 29W
典型关闭延迟时间 - 9.1ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - OptiMOS™
典型接通延迟时间 - 4.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.1nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7818DN-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®1212-8

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